LED用襯底材料是LED芯片制造中的關(guān)鍵材料，其質(zhì)量直接影響到LED器件的性能。目前，主要襯底材料包括藍(lán)寶石（Al?O?）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。近年來，隨著LED技術(shù)的發(fā)展，對(duì)襯底材料的要求不斷提高，如更高的熱導(dǎo)率、更低的缺陷密度等。目前，通過改進(jìn)生長(zhǎng)工藝和優(yōu)化材料配方，襯底材料的性能得到了顯著提升。同時(shí)，隨著Mini LED和Micro LED技術(shù)的興起，對(duì)襯底材料的需求更加多樣化，促進(jìn)了新材料的研發(fā)。

　　未來，LED用襯底材料是LED芯片制造中的關(guān)鍵材料，其質(zhì)量直接影響到LED器件的性能。目前，主要襯底材料包括藍(lán)寶石（Al?O?）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。近年來，隨著LED技術(shù)的發(fā)展，對(duì)襯底材料的要求不斷提高，如更高的熱導(dǎo)率、更低的缺陷密度等。目前，通過改進(jìn)生長(zhǎng)工藝和優(yōu)化材料配方，襯底材料的性能得到了顯著提升。同時(shí)，隨著Mini LED和Micro LED技術(shù)的興起，對(duì)襯底材料的需求更加多樣化，促進(jìn)了新材料的研發(fā)。

第一章 半導(dǎo)體照明（LED）產(chǎn)業(yè)概述

　　1.1 　全球LED產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展

　　　　1.1.1 　全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

　　　　1.1.2 　全球半導(dǎo)體照明市場(chǎng)基本格局

　　　　1.1.3 　全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)區(qū)域及企業(yè)現(xiàn)狀

　　1.2 　中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展

　　　　1.2.1 　中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

　　　　1.2.2 　中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)快速增長(zhǎng)

　　　　1.2.3 　中國(guó)LED照明企業(yè)的發(fā)展特征

　　　　1.2.4 　中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展優(yōu)勢(shì)

　　1.3 　中國(guó)LED市場(chǎng)現(xiàn)狀

　　　　1.3.1 　中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)格局

轉(zhuǎn)~自：http://www.htout.com/DiaoYan/2012-04/yongchendicailiaohangyediaoyanjifazh.html

　　　　1.3.2 　中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的區(qū)域分布

　　　　1.3.3 　全國(guó)主要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地及潛力點(diǎn)

　　1.4 　半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)

　　　　1.4.1 　半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈概述

　　　　1.4.2 　上游環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)鏈

　　　　1.4.3 　中游環(huán)節(jié)（芯片制備）產(chǎn)業(yè)鏈

　　　　1.4.4 　下游環(huán)節(jié)（封裝和應(yīng)用）產(chǎn)業(yè)鏈

第二章 LED用襯底材料的相關(guān)概述

　　2.1 　LED外延片基本概述

　　2.2 　紅黃光LED襯底

　　2.3 　藍(lán)綠光LED襯底

第三章 藍(lán)寶石襯底

　　3.1 　藍(lán)寶石襯底的概述

　　　　3.1.1 　藍(lán)寶石襯底材料的介紹

　　　　3.1.2 　外延片廠商對(duì)藍(lán)寶石襯底的要求

　　　　3.1.3 　藍(lán)寶石生產(chǎn)設(shè)備的情況

　　　　3.1.4 　藍(lán)寶石晶體工藝介紹

　　3.2 　藍(lán)寶石襯底材料市場(chǎng)分析

　　　　3.2.1 　全球藍(lán)寶石材料市場(chǎng)概述

　　　　3.2.2 　國(guó)內(nèi)的技術(shù)現(xiàn)狀

　　　　3.2.3 　我國(guó)存在的困境分析

　　3.3 　藍(lán)寶石項(xiàng)目生產(chǎn)概況

　　　　3.3.1 　原料

　　　　3.3.2 　生產(chǎn)線設(shè)備

　　　　3.3.3 　2009-2010年國(guó)內(nèi)寶藍(lán)石材料項(xiàng)目介紹

　　3.4 　市場(chǎng)對(duì)藍(lán)寶石襯底的需求分析

　　　　3.4.1 　民用半導(dǎo)體照明領(lǐng)域?qū)λ{(lán)寶石材料的需求分析

　　　　3.4.2 　民用航空領(lǐng)域?qū)λ{(lán)寶石襯底的需求分析

　　　　3.4.3 　軍工領(lǐng)域?qū)λ{(lán)寶石材料的需求分析

2011 LED substrate material for industry research and analysis report

　　　　3.4.4 　其他領(lǐng)域?qū)λ{(lán)寶石材料的需求分析

　　3.5 　藍(lán)寶石襯底材料的發(fā)展前景

　　　　3.5.1 　2011年全球LED藍(lán)寶石襯底的需求預(yù)測(cè)分析

　　　　3.5.2 　2012年藍(lán)寶石襯底市場(chǎng)發(fā)展前景

　　　　3.5.3 　藍(lán)寶石襯底材料的發(fā)展趨勢(shì)

第四章 硅襯底

　　4.1 　半導(dǎo)體硅材料的概述

　　　　4.1.1 　半導(dǎo)體硅材料的電性能特點(diǎn)

　　　　4.1.2 　半導(dǎo)體硅材料的制備

　　　　4.1.3 　半導(dǎo)體硅材料的加工

　　　　4.1.4 　半導(dǎo)體硅材料的主要性能參數(shù)

　　4.2 　硅襯底LED芯片主要制造工藝的綜述

　　　　4.2.1 　Si襯底LED芯片的制造

　　　　4.2.2 　Si襯底LED封裝的技術(shù)

　　　　4.2.3 　硅襯底LED芯片的測(cè)試結(jié)果

　　4.3 　硅襯底上GAN基LED的研究進(jìn)展

　　　　4.3.1 　用硅作GaN LED襯底的優(yōu)缺點(diǎn)

　　　　4.3.2 　硅作GaN LED襯底的緩沖層技術(shù)

　　　　4.3.3 　硅襯底的LED器件

第五章 碳化硅襯底

　　5.1 　碳化硅襯底的介紹

　　　　5.1.1 　碳化硅的性能及用途

　　　　5.1.2 　LED碳化硅襯底的基礎(chǔ)概要

　　5.2 　SIC半導(dǎo)體材料研究的闡述

　　　　5.2.1 　SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)

　　　　5.2.2 　SiC半導(dǎo)體材料的性能

　　　　5.2.3 　SiC半導(dǎo)體材料的制備方法

　　　　5.2.4 　SiC半導(dǎo)體材料的應(yīng)用

　　5.3 　SIC單晶片CMP超精密加工的技術(shù)分析

2011年中國(guó)LED用襯底材料行業(yè)調(diào)研及發(fā)展分析報(bào)告

　　　　5.3.1 　SiC單晶片超精密加工的發(fā)展

　　　　5.3.2 　SiC單晶片的CMP技術(shù)的原理

　　　　5.3.3 　SiC單晶片CMP磨削材料去除速率

　　　　5.3.4 　SiC單晶片CMP磨削表面質(zhì)量

　　　　5.3.5 　CMP的影響因素分析

　　　　5.3.6 　SiC單晶片CMP拋光存在的不足

　　　　5.3.7 　SiC單晶片的CMP的趨勢(shì)

第六章 砷化鎵襯底

　　6.1 　砷化鎵的介紹

　　　　6.1.1 　砷化鎵的定義及屬性

　　　　6.1.2 　砷化鎵材料的分類

　　6.2 　砷化鎵在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用

　　　　6.2.1 　砷化鎵在LED方面的需求市場(chǎng)

　　　　6.2.2 　我國(guó)LED方面砷化鎵的應(yīng)用

　　6.3 　砷化鎵襯底材料的發(fā)展

　　　　6.3.1 　國(guó)外砷化鎵材料技術(shù)的發(fā)展

　　　　6.3.2 　國(guó)內(nèi)砷化鎵材料技術(shù)的發(fā)展

　　　　6.3.3 　國(guó)內(nèi)砷化鎵材料主要生產(chǎn)廠家的情況

　　　　6.3.4 　砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)分析

第七章 其他襯底材料

　　7.1 　氧化鋅

　　　　7.1.1 　氧化鋅的定義

　　　　7.1.2 　氧化鋅的物理及化學(xué)性質(zhì)

　　7.2 　氮化鎵

　　　　7.2.1 　氮化鎵的介紹

　　　　7.2.2 　GaN材料的特性

2011 nián zhōngguó led yòng chèn dǐ cáiliào hángyè diàoyán jí fāzhǎn fēnxī bàogào

　　　　7.2.3 　GaN材料的應(yīng)用

　　　　7.2.4 　氮化鎵材料的應(yīng)用前景廣闊

第八章 重點(diǎn)企業(yè)

　　8.1 　國(guó)外主要企業(yè)

　　　　8.1.1 　京瓷（Kyocera）

　　　　8.1.2 　Namiki

　　　　8.1.3 　Rubicon

　　　　8.1.4 　Monocrystal

　　　　8.1.5 　CREE

　　8.2 　中國(guó)臺(tái)灣主要企業(yè)

　　　　8.2.1 　中國(guó)臺(tái)灣越峰電子材料股份有限公司

　　　　8.2.2 　中國(guó)臺(tái)灣中美硅晶制品股份有限公司

　　　　8.2.3 　中國(guó)臺(tái)灣合晶科技股份有限公司

　　　　8.2.4 　中國(guó)臺(tái)灣鑫晶鉆科技股份有限公司

　　8.3 　中國(guó)大陸主要企業(yè)

　　　　8.3.1 　哈爾濱工大奧瑞德光電技術(shù)有限公司

　　　　8.3.2 　云南省玉溪市藍(lán)晶科技有限責(zé)任公司

　　　　8.3.3 　成都聚能光學(xué)晶體有限公司

　　　　8.3.4 　青島嘉星晶電科技股份有限公司

　　　　8.3.5 　愛彼斯通半導(dǎo)體材料有限公司

第九章 中^智^林^　投資分析

　　9.1 　2011-2012年將是LED照明產(chǎn)業(yè)最佳投資時(shí)期

　　9.2 　LED行業(yè)上游投資風(fēng)險(xiǎn)分析

圖表目錄

　　圖表 國(guó)際主要LED企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

　　圖表 2009年國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)量、芯片產(chǎn)量及芯片國(guó)產(chǎn)率情況

　　圖表 2003-2009年我國(guó)LED封裝市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)情況

　　圖表 2009年國(guó)內(nèi)主要LED芯片企業(yè)銷售額及市場(chǎng)比重情況

業(yè)界研究や分析レポート2011年のLED基板材料

　　圖表 第三類企業(yè)的發(fā)展運(yùn)作模式

　　圖表 國(guó)際大部分著名LED企業(yè)遵循的發(fā)展模式

　　圖表 使用藍(lán)寶石襯底做成的LED芯片示例

　　圖表 藍(lán)寶石生產(chǎn)線設(shè)備明細(xì)

　　圖表 三種襯底性能比較

　　圖表 藍(lán)寶石供應(yīng)商所占市場(chǎng)份額

　　圖表 2006-2013年全球LED市場(chǎng)及預(yù)測(cè)分析

　　圖表 晶格結(jié)構(gòu)示意圖

　　圖表 晶向示意圖

　　圖表 Si襯底GaN基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)圖

　　圖表 封裝結(jié)構(gòu)圖

　　圖表 SiC其它的優(yōu)良特性

　　圖表 SiC單晶片CMP示意圖

　　圖表 砷化鎵基本屬性

　　圖表 GaAs晶體生長(zhǎng)的各種方法的分類

　　圖表 LED發(fā)光亮度

　　圖表 我國(guó)砷化鎵在高亮度LED應(yīng)用市場(chǎng)構(gòu)成

　　產(chǎn)業(yè)調(diào)研網(wǎng)

　　http://www.htout.com/DiaoYan/2012-04/yongchendicailiaohangyediaoyanjifazh.html

　　略……